10A1 |
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in situ レーザーMBE ―光電子分光装置の開発と現状 |
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〇堀場弘司1,大口裕之1,組頭広志1,
小野寛太1,中川直之2,Mikk Lippmaa2,
川崎雅司3,鯉沼秀臣4,尾嶋正治1
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1東大院工,2東大物性研,3東北大金研,
4東工大応セラ研 |
10A2 |
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LaserMBE法により終端面を制御した
La0.6Sr0.4MnO3薄膜のin-situ光電子分光 |
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〇組頭広志1,堀場弘司1,大口裕之1,
岡林潤 1,小野寛太1,中川直之2,
Mikk Lippmaa2,川崎雅司3,鯉沼秀臣4,
尾嶋正治1
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1東大院工,2東大物性研,3東北大金研,
4東工大応セラ研 |
10A3 |
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レーザーMBE法により作製したLa1-xSrxMnO3
薄膜のin situ 高分解能Mn2p-3d共鳴光電子分光 |
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〇堀場弘司1,大口裕之1,組頭広志1,
小野寛太1,中川直之2,Mikk Lippmaa2,
川崎雅司3,鯉沼秀臣4,尾嶋正治1
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1東大院工,2東大物性研,3東北大金研,
4東工大応セラ研 |
10A4 |
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有機半導体PTCDAの分子間エネルギーバンド分散測定 |
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〇山根宏之1,田中慎二1,藪内庸介1,
森忠臣1,解良聡1,吉村大介2,
奥平幸司3,関一彦2,上野信雄1
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1千葉大工,2名大物質国際研,3分子研
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10A5 |
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Dispersive-NEXAFSによる表面反応の研究−Pt(111)上の酸化反応− |
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〇近藤寛,中井郁代,長坂将成,雨宮健太,太田俊明
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東大院理 |
10A6 |
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Low-dimensional Semiconductor on
Graphite and Sapphire : A core-level Spectroscopy Study |
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〇Krishna G. Nath,下山巖,関口哲弘,馬場祐治
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原研放射光科学研究セ |