11P21 |
|
光電子顕微鏡によるカーボンナノチューブ先端の局所電子状態の観測
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|
|
|
〇鈴木哲1,渡辺義夫1,荻野俊郎1,
S. Heun2,L. Gregoratti2,A. Barinov2,
B. Kaulich2,M. Kiskinova2,W. Zhu3,
C. Bower4,O. Zhou4
|
|
|
|
1NTT物性基礎研,2ELETTRA,3Bell Labs,
4UNC
|
11P22 |
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カーボンナノチューブ内部における
Csのインターカレーション過程の光電子顕微鏡による直接観察
|
|
|
|
〇鈴木哲1,渡辺義夫1,荻野俊郎1,
S. Heun2,L. Gregoratti2,A. Barinov2,
B. Kaulich2,M. Kiskinova2,W. Zhu3,
C. Bower4,O. Zhou4
|
|
|
|
1NTT物性基礎研,2ELETTRA,3Bell Labs,
4UNC
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11P23 |
|
Si(111)放射光クリーニングとアンジュレータ光ビームラインの設計
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〇野々垣陽一,宇理須恒雄
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分子研
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11P24 |
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高エネルギー分解能逆光電子分光装置開発の現状報告
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〇朝倉大輔1,池田雅彦2,溝川貴司1
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1東大新領域,2東大理
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11P25 |
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ニュースバル・ビームライン7Bの性能評価−
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〇春山雄一,神田一浩,清水川豊,松井真二
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姫工大高度研
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11P26 |
|
NTT厚木研究開発センタにおける角度分解光電子分光ビームラインの製作
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〇鈴木哲1,山本秀樹1,前田文彦1,
渡辺義夫1,山田浩治2,清倉孝規2
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1NTT物性基礎研,2NTTマイクロシステム研
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11P27 |
|
SPring-8 BL15XUの大型角度分解光電子分光装置
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〇福島整1,吉川英樹1,木田義輝2,
田中彰博2,木村昌弘1,渡邉勝巳2,
A.M.Vlaicu1,二澤宏司1,
奥井眞人1,八木信弘1,北村優1,
田口雅美2,大岩烈2
|
|
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1物材機構はりまオフィス,2アルバック・ファイ
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11P28 |
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UVSOR BL5Aにおける新高分解能光電子分光システム
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木村真一1,○高橋和敏1,曽田一雄3,
中川剛志2,竹内恒博3,近藤猛3,
榛葉蔵人3,小杉信博1
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1UVSOR,2分子研,3名大院工
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11P29 |
|
New SUBARU放射光を用いた極端紫外線光学素子の反射率測定
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〇細谷守男1,酒屋典之1,渡邊健夫2,
木下博雄2,浜本和宏2,高田慎太郎2,
笑喜勉2
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1HOYA,2姫工大
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11P30 |
|
Si-L吸収端近傍におけるMo/Si多層膜X線ミラー反射率
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〇永井宏明1,竹中久貴1,大知渉之1,
伊東恒1,市丸智1,渡部力2,
E.M.Gullikson3,R.C.C.Perera3
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1NTT-AT,2電気通信大,3LBNL
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11P31 |
|
波長6mm多層膜X線ミラーの開発
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〇大知渉之1, 竹中久貴1, 永井宏明1,
伊東恒1, 市丸智1, 村松康司2,
E.M.Gullikson3, R.C.C.Perera3
|
|
|
|
1NTT-AT, 2原研関西, 3LBNL
|
11P32 |
|
直入射型および斜入射型EUVビームスプリッタの作製・評価
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|
|
○市丸智1, 竹中久貴1, 大知渉之1,
伊東恒1, 芳賀恒之2, 村松康司3,
E.M.Gullikson4, R.C.C.Perera4
|
|
|
|
1NTT-AT, 2原研関西, 3LBNL
|
11P33 |
|
自立金属薄膜の作製とそのVUV-SX領域での光学特性
|
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|
〇福井一俊1,濱村寛2,門松潔2,
渡辺博信3,元垣内敦司3,平松和政3
|
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1福井大FIR,2ニコン,3三重大工
|
11P34 |
|
直入射広帯域 (200-25mm)
反射多層膜の開発
|
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〇江島丈雄,須藤健太,羽多野忠,渡辺誠
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東北大多元研
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11P35 |
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球面基板上の多層膜作製における周期膜厚制御
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〇羽多野忠,窪田昭吾,山本正樹
|
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|
東北大多元研
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11P36 |
|
PMMAのシンクロトロン放射光加工における
マスク材料としてのSOGの検討
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〇松井真二1,谷口淳2,竹澤悟2,
神田一浩1,春山雄一1,宮本岩男22
|
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1姫工大高度研,2東理大基礎工
|
11P37 |
|
軟X線照射によるPTFEの表面改質
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〇神田一浩1,出田智也2,春山雄一1,
石垣博行2,松井真二1
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1姫工大高度研,2姫工大工
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11P38 |
|
EUV光照射によるレジストの
低アウトガス化と,光脱離のサイト選択の可能性
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〇渡邊健夫1,浜本和宏1,高田慎太郎1,
木下博雄1,羽田英夫2,駒野博司2
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1姫工大,2東京応化工業
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11P39 |
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極端紫外線リソグラフィによる大面積露光
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〇浜本和宏,渡邊健夫,木下博雄,高田慎太郎,椿野晴繁
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姫工大
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11P40 |
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EUV顕微鏡によるEUVマスクの観察
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〇高田慎太郎1,芳賀恒之2,浜本和宏1,
木下博雄1,渡邊健夫1,数井直樹1,
椿野晴繁1
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1姫工大,2NTT通信エネ研
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11P41 |
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放射光LIGAプロセス用超高感度厚膜レジストの新規開発
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〇坂井信支1,多田健太郎1,内海裕一2,
服部正2
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1東洋合成工業感光材研 2姫工大高度研
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11P42 |
|
SRリソグラフィーを用いた電気泳動用マイクロチップの作製
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〇尾崎元章1,内海裕一2,寺部茂1,
服部正2
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1姫工大院理,2姫工大高度研
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11P43 |
|
放射光照度分布制御による3次元加工法の提案
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|
〇植田寛康1,福田義博2,銘苅春隆2,
山下満3,瀧口欣司4,服部正2,
|
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|
1姫工大院工,2姫工大高度研,3兵庫工技センター,
4姫工大工
|
11P44 |
|
X線マスクの吸収体厚み制御による3次元マイクロ構造体の作製
|
|
|
|
〇福田義博1,植田寛康2,瀧口欣司3,
服部正1
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|
|
1姫工大高度研,2姫工大院工,3姫工大工
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11P45 |
|
放射光を用いた薄膜中の光電子の有効減衰長測定
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|
|
〇今村元泰,田中智章,松林信行,島田広道
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産総研
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11P46 |
|
Lightly-doped SrTiO3の共鳴逆光電子分光
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|
|
○樋口透1,野澤俊介1,塚本桓世1,
手塚泰久2,江口律子3,金井要4,
辛埴3,5
|
|
|
|
1東理大理,2弘前大,3東大物性研,
4名大理,5理研
|
11P47 |
|
ZrF4薄膜の共鳴光電子分光
|
|
|
|
○樋口透1,塚本桓世1,手塚泰久2,
辛埴3,4
|
|
|
|
1東理大理,2弘前大,3理研,
4東大物性研
|
11P48 |
|
Fe2VAl合金の電子構造と熱電特性
|
|
|
|
〇曽田一雄1,水谷竜典1,八木伸也1,
竹内恒博1,水谷宇一郎1,鷲見裕史2,
西野洋一2,関山明3,菅滋正3,
斎藤祐児4,松下智裕5
|
|
|
|
1名大院工,2名工大,3阪大基礎工,
4原研,5JASRI
|
11P49 |
|
直線偏光2次元光電子分光によるCu基板上のNi超薄膜の電子状態
|
|
|
|
○中西康次1, 松井文彦3, 浜田洋司3,
中村洋次郎3, 和田光世3, 野澤有司2,
小川浩二2, 大門寛3, 難波秀利1
|
|
|
|
1立命館大院理工, 2立命館大理工, 3奈良先端大物質創成
|
11P50 |
|
S/GaAs(001)上のCoクラスターの電子状態
|
|
|
|
〇原沢あゆみ1,奥田太一1,脇田高徳1,
遠山尚秀2,Krishna G. Nath3,江口豊明1,
浜田雅之1,中辻寛1,長谷川幸雄1,
小森文夫1,上野信雄2,木下豊彦1
|
|
|
|
1東大物性研,2千葉大自然科学,3原研東海
|
11P51 |
|
NdMn2Ge2,
GdMn2Ge2の電子状態
|
|
|
|
〇平井千之1,山崎健太郎2,佐藤仁1,
藤本浩二1,吉河訓太2,竹田幸治3,
有田将司3,植田義文4,谷口雅樹1,3,
仲武昌史5,平岡耕一6
|
|
|
|
1広大院理,2広大理,3広大放射光,
4呉高専,5KEK-PF,6愛媛大工
|
11P52 |
|
(La1-xCaxO)Cu
1-xNixSの電子状態
|
|
|
|
〇佐藤仁1,根岸寛2,根岸彩子2,
井野明洋3,生天目博文3,谷口雅樹1,3,
高瀬浩一4,高橋由美子4,高野良紀4,
関沢和子4
|
|
|
|
1広大院理,2広大院先端研,3広大放射光,
4日大理工
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11P53 |
|
Spring-8 BL23SUのアクチナイド研究用
光電子分光・MCD実験ステーション
|
|
|
|
○岡根哲夫1,藤森伸一1,間宮一敏1,
岡本淳1,斎藤祐児1,村松康司1,
藤森淳1,2
|
|
|
|
1原研放射光,2東大新領域
|
11P54 |
|
スクッテルダイト化合物RFe4Sb12
(R=La,Ce,Yb) の光電子分光
|
|
|
|
〇岡根哲夫1,藤森伸一1,間宮一敏1,
岡本淳1,村松康司1,藤森淳1,2,
長本泰征3,小柳剛3
|
|
|
|
1原研放射光,2東大新領域,3山口大工
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11P55 |
|
SPring-8 BL23SUにおける強相関f電子系に対する光電子分光実験
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|
|
|
〇藤森伸一1,岡根哲夫1,岡本淳1,
間宮一敏1,村松康司1,藤森淳1,2
|
|
|
|
1原研放射光,2東大新領域
|
11P56 |
|
CoS2-xSexのCo L2,3
吸収端におけるX線吸収MCD
|
|
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|
〇間宮一敏1,岡本淳1,藤森伸一1,
岡根哲夫1,斎藤祐児1,村松康司1,
藤森淳1,2,宮台朝直3
|
|
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|
1原研/SPring-8,2東大院新領域,3道都短大
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11P57 |
|
FexNbS2の軟X線分光
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|
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|
〇斎藤祐児1,2,小林啓介2,藤森淳1,3,
山村泰久4,辻利秀4,小矢野幹夫4,
片山信一4
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|
|
|
1原研,2JASRI,3東大新領域,
4北陸先端大ナノテクセ・材料
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11P58 |
|
価数転移を示すEu化合物EuPd2Si2の
Eu 4d-4f共鳴光電子分光
|
|
|
|
〇三村功次郎1,萬谷和也1,仲武昌史2,
渡邉陽子1,北本克征1,福田修一3,
中沼裕司3,光田暁弘3,櫻井醇児3,
田口幸広1,市川公一1,会田修1
|
|
|
|
1阪府大院工,2KEK- PF,3富山大理
|
11P59 |
|
CeSi中のCe 4f電子状態−高分解能共鳴光電子分光による研究−
|
|
|
|
〇渡邉陽子1,三村功次郎1,田口幸広1,
市川公一1,山崎篤志2,関山明2,
菅滋正2,室隆桂之3,仲武昌史4,
小口多美夫5,酒井治6,野口悟1,
会田修1
|
|
|
|
1阪府大院工,2阪大基礎工,3JASRI,
4KEK- PF,5広大院先端,6都立大院理
|
11P60 |
|
EuPd2Si2の高分解能光電子スペクトル
:Eu4fの温度依存性
|
|
|
|
〇萬谷和也1,三村功次郎1,田口幸広1,
渡邉陽子1,北本克征1,福田修一2,
光田暁弘2,櫻井醇児2,市川公一1,
会田修1
|
|
|
|
1阪府大院工,2富山大理
|
11P61 |
|
単層カーボンナノチューブの光電子分光
|
|
|
|
〇塩澤秀次1,石井広義1,片浦弘道1,
大坪英雄1,高山泰弘1,宮原恒c1,
鈴木信三1,阿知波洋次1,仲武昌史2
|
|
|
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1都立大院理,2KEK-PF
|
11P62 |
|
RFe4P12とRRu4Sb12
(R=La,Ce) の共鳴光電子分光
|
|
|
|
〇石井広義,大坪英雄,塩澤秀次,高山泰弘,宮原恒c,金山友幸,
湯浅清司,松田達磨,青木勇二,菅原仁,佐藤英行
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|
都立大院理
|
11P63 |
|
ULSI用シリコン酸窒化膜の高分解能光電子分光法
|
|
|
|
〇豊田智史1,小野寛太1,岡林潤1,
奥村務1,尾嶋正治1,平下紀夫2,
丹羽正昭2,臼田宏治2
|
|
|
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1東大工,2STARC
|
11P64 |
|
ULSI用HfO2/Hf1-xSixO2
薄膜の高分解能光電子分光
|
|
|
|
〇尾嶋正治1,奥村務1,豊田智史1,
小野寛太1,岡林潤1,平下紀夫2,
丹羽正昭2,臼田宏治2
|
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|
1東大工,2STARC
|
11P65 |
|
2次元光電子分光法及び
第一原理計算による単結晶Cu電子状態の研究
|
|
|
|
〇中村洋次郎1, 松井文彦1, 浜田洋司1,
中西康次2, 和田光世1, 野澤有司2,
小川浩二2, 田畑研二3, 武田さくら1,
服部賢1, 難波秀利2, 大門寛1
|
|
|
|
1奈良先端大物質創成,2立命館大理工,3RITE
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11P66 |
|
エピタキシャル窒化ホウ素薄膜の電子構造
|
|
|
|
〇下山巖,Krishna G. Nath,関口哲弘,馬場祐治
|
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原研
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11P67 |
|
原子層エピタキシー法で作製した
Zn(Mn)Se/Be(Mn)Te超格子の蛍光EXAFS法による局所構造評価
|
|
|
|
○大渕博宣1,加藤菜摘1,堀伸行1,
小川和男1,加藤大典1,竹田美和1,
中村新男1,秋本良一2
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1名大院工,2産総研
|
11P68 |
|
内殻分光法によるPr0.5Ca0.5MnO3
の電子構造の温度変化の観測
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|
〇北本克征,田口幸広,三村功次郎,渡邉陽子,市川公一,川又修一,会田修
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阪府大院工
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11P69 |
|
CuIr2S4の
Ir 5d電子構造−クラスターモデル計算との比較
|
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|
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○北本克征1,田口幸広1,魚住孝幸1,
三村功次郎1,渡邉陽子1,石橋広記2,
会田修1
|
|
|
|
1阪府大院工,2阪府大総合科
|
11P70 |
|
ULSI用ZrO2/Zr1-xSixO2
薄膜の高分解能光電子分光
|
|
|
|
〇奥村務1,豊田智史1,小野寛太1,
岡林潤1,尾嶋正治1,平下紀夫2,
丹羽正昭2,臼田宏治2
|
|
|
|
1東大工,2STARC
|
11P71 |
|
Multi-atomic Resonant Photoemission
Effect (MARPE) Observed for Co and Mo Binary Sulfide
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|
|
|
〇田中智章,松林信行,今村元泰,島田広道
|
|
|
|
産総研
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11P72 |
|
X線吸収分光によるZn1-xTMxO
(TM=遷移金属) の電子構造解析
|
|
|
|
〇岡林潤1,小野寛太1,水口将輝1,
尾嶋正治1,溝川貴司2,藤森淳2,
D.D. Sarma3,由利正忠4,
C.T. Chen4,福村知昭5,川崎雅司5
|
|
|
|
1東大工,2東大新領域,3Indian Institute of Science,
4SRRC,5東北大金研
|
11P73 |
|
MnAsナノクラスターの磁気円二色性
|
|
|
|
〇岡林潤1,水口将輝1,小野寛太1,
尾嶋正治1,由利正忠2,C.T. Chen2,
清水大雅1,田中雅明1
|
|
|
|
1東大工,2SRRC
|
11P74 |
|
MnAs/GaAs超構造のX線吸収分光
|
|
|
|
〇岡林潤1,山田素久1,小野寛太1,
尾嶋正治1,由利正忠2,C.T. Chen2,
|
|
|
|
1東大工,2SRRC
|
11P75 |
|
Co/N/Cu(001)表面におけるX線磁気円二色性
|
|
|
|
〇中辻寛1,大野真也1,飯盛拓嗣1,
宮岡秀治2,山田正理1,高木康多1,
柳生数馬1,雨宮健太3,松村大樹3,
北川聡一郎3,横山利彦4,太田俊明3,
小森文夫1
|
|
|
|
1東大物性研,2NHK技研,3東大理,
4分子研
|
11P76 |
|
Gd/Co多層膜の内殻励起共鳴発光磁気円二色性測定
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|
|
|
〇高山泰弘1,吉田徹夫1,大坪英雄1,
塩澤秀次1,石井広義1,宮原恒c1,
岡本淳2
|
|
|
|
1都立大院理,2原研
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11P77 |
|
軟X線スペクトルによるカーボンナノチューブの分析
|
|
|
|
〇辻淳一,宮田洋明,橋本秀樹
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|
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|
東レリサーチセンター
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11P78 |
|
配向ポリエステルフィルムの励起および蛍光スペクトル
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|
|
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〇大内伊助1,中井生央2
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|
|
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1徳島文理大工,2鳥取大工
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11P79 |
|
軟X線発光・吸収分光法による
電子・分子構造解析(3-1),多環芳香族化合物
|
|
|
|
〇村松康司1,2,冨澤加奈2
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|
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|
1原研関西,2姫工大
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11P80 |
|
軟X線発光・吸収分光法による
電子・分子構造解析(3-2),いぶし瓦表面の炭素層
|
|
|
|
〇村松康司1,2,元山宗之2
|
|
|
|
1原研関西,2姫工大
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11P81 |
|
軟X線発光・吸収分光法による電子・分子構造解析(3-3),
六方晶窒化ホウ素の角度依存X線スペクトルとBCN化合物の評価
|
|
|
|
〇村松康司1,兼吉高宏2,元山宗之2,
藤井清利3
|
|
|
|
1原研関西,2兵工技センター,3アドバンス・セラミックス
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11P82 |
|
In-doped CaZrO3の共鳴軟X線発光分光
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|
|
|
○樋口透1,竹内智之1,塚本桓世1,
小林清2,山口周3,辛埴4,5
|
|
|
|
1東理大理,2産総研,3名工大,
4東大物性研,5理研
|
11P83 |
|
軟X線発光分光によるBi4Ti3O12
薄膜と単結晶の電子構造
|
|
|
|
○樋口透1,工藤和秀1,竹内智之1,
塚本桓世1,原田慈久2,辛埴2,3
|
|
|
|
1東理大理,2理研,3東大物性研
|
11P84 |
|
反強磁性結合したFe/Si多層膜界面の
軟X線発光分光による結合状態評価
|
|
|
|
〇今園孝志,平山裕士,市倉繁,宮田登,北上修,柳原美広,渡辺誠
|
|
|
|
東北大多元研
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11P85 |
|
多層膜回折格子分光計により測定した
CrB2及びZrB2のB1ss
,p発光スペクトル
|
|
|
|
〇市倉繁1,石川禎之1,今園孝志1,
平山裕士1,須藤健太1,大谷茂樹2,
小口多美夫3,柳原美広1,渡辺誠1
|
|
|
|
1東北大多元研,2物材機構,3広大院先端
|
11P86 |
|
NEXAFSによるイオン液体の表面配向の検討
|
|
|
|
〇西寿朗1,横山高博1,吉村大介2,
飯森俊文2,金井要1,石井久夫3,
大内幸雄1,関一彦2,伊藤英輔4,
荒木暢5,小澤亮介6,濱口宏夫6
|
|
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1名大院理,2名大物質国際研,3東北大通研,
4理研フロンティア,5MacMaster大,6東大院理
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11P87 |
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電子−角度分解イオンコインシデンス分光装置の
開発とその性能評価
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〇小林英一1,漁剛志2,間瀬一彦1,
森正信3,奥平幸司3,上野信雄3,
田中健一郎2
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1KEK-PF,2広大院理,3千葉大院工
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11P88 |
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電子−イオン・コインシデンス法を用いた
エステル基を持つ自己組織化単分子膜の内殻励起によるイオン脱離の研究
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○森田耕平,南部佑介,漁剛志,和田真一,関谷徹司,田中健一郎
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広大院理
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11P89 |
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放射光を用いた放射線化学の基礎概念の検討
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○三宅康之1,上野円1,成田悟1,
Jin Zhaohui2,田中真人2,北田朋3,
中川和道3,西間木洋暢4,小林浩之5,
小谷正博5
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1神戸大院総合人間,2神戸大院自然科学,3神戸大発達科学,
4学習院大院自然科学,5学習院大理
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11P90 |
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炭素内殻吸収端におけるエステル修飾した
自己組織化有機単分子膜の光刺激脱離反応
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〇和田真一1,田中健一郎1,B. Naydenov2,
P. Feulner2,D. Menzel2
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1広大院理,2Dept. of Phys., Technical University of Munich
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11P91 |
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PTFEに対する軟X線照射効果−XPSによる分析−
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〇春山雄一1,出田智也2,石垣博行2,
神田一浩1,松井真二1
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1姫工大高度研,2姫工大工
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11P92 |
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軟X線による固相アミノ酸の化学進化
:グリシン二量体の生成
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〇成田悟1,Jin Zhaohui2,田中真人2,
三宅康之1,北田朋3,中川和道3,
安居院あかね4,横谷明徳4,藤井健太郎4
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1神戸大総合人間科学,2神戸大自然科学,3神戸大発達科学,
4原研関西放射光
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11P93 |
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硫黄K吸収端NEXAFSおよびXPSによる
遷移金属表面に吸着したL-cysteine (エタノール溶液反応) の研究
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〇八木伸也1,松村陽平1,池永英司2,
曽田一雄1,S.S.Amin3,S.J.Jamal3,
田中健一郎3,橋本英二4,喬山4,
谷口雅樹3,4
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1名大院工,2佐賀大SLセンター,3広大院理,
4広大放射光
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11P94 |
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硫黄K吸収端NEXAFSおよびXPSによる
遷移金属表面に吸着したL-cysteine(水溶液反応)の研究
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〇松村陽平1,八木伸也1,池永英司2,
曽田一雄1,S.S.Amin3,S.J.Jamal3,
田中健一郎3,橋本英二4,喬山4,
谷口雅樹3,4
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1名大院工,2佐賀大SLセンター,3広大院理,
4広大放射光
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11P95 |
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Ag(111)およびAg修飾Cu(100)表面に吸着した
硫化ジメチル分子の硫黄K吸収端NEXAFSとXPSによる研究
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〇中埜吉博1,八木伸也1,池永英司2,
曽田一雄1,S.S.Amin3,S.J.Jamal3,
田中健一郎3,橋本英二4,喬山4,
谷口雅樹3,4
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1名大院工,2佐賀大SLセンター,3広大院理,
4広大放射光
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11P96 |
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フッ素系高分子の光電子スペクトルの励起波長依存性
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○奥平幸司1,2,3,瀬戸山寛之2,解良聡2,3,
今村元泰4,間瀬一彦5,上野信雄2,3
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1分子研,2千葉大院自然,3千葉大工,
4産総研,5KEK-PF
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11P97 |
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レーザー非共鳴多光子イオン化法による
PMMA高分子薄膜の内殻励起中性脱離反応の研究
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〇和田真一1,2,松本吉弘1,河野美鈴1,
関谷徹司1,2,田中健一郎1,2
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1広大院理,2広大放射光
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11P98 |
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酸素分子の運動エネルギーによる
Si(001)表面における酸化膜形成とSiO脱離の制御
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〇寺岡有殿1,吉越章隆1,盛谷浩右1,2
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1原研放射光,2阪大院理
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11P99 |
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C70/Siヘテロ接合界面の電子状態
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〇脇田高徳1,4,須藤彰三2,粕谷厚生3,
坂本一之2,近藤大雄2,奥田太一1,
原沢あゆみ1,木下豊彦1
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1東大物性研,2東北大院理,3東北大学際センター,
4SPring-8
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11P100 |
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酸素分子によるSi(001)表面の熱酸化初期過程の
放射光リアルタイム光電子分光法観察とその反応機構の解明
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〇〇吉越章隆1,盛谷浩右1,2,寺岡有殿1
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1原研放射光,2阪大院理
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11P101 |
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(Pb,Sn)/Si(111)表面の光電子分光II
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○榛葉蔵人1,高田隆史2,柚原淳司1,
加藤政彦1,八木伸也1,曽田一雄1,
森田健治1,高橋和敏3,木村真一3
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1名大院工,2名大工,3分子研
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11P102 |
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Si(111)7x7表面,Si(111)√3x√3-B表面,Si(111)1x1-H表面の
Feシリサイド薄膜の成長
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〇脇田高徳1,3,小野雅紀1,奥田太一1,
原沢あゆみ1,松島毅1,東山和幸2,
長谷川幸雄1,木下豊彦1
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1東大物性研,2筑波大理,3SPring-8
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11P103 |
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GaAs(001)表面相転移の時間分解内殻準位光電子分光
による実時間解析
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〇前田文彦,渡辺義夫
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NTT物性基礎研
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